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單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為:①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HCl,其中,反應(yīng)①和③屬。

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高純度硅在石英中提取,以單晶硅為例,提煉要經(jīng)過以下過程:石英砂一冶金級硅一提純和精煉一沉積多晶硅錠一單晶硅一硅片切割。冶金級硅的提煉并不難。它的制備喜聞樂見。

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沙子是地殼較為豐富的物質(zhì),沙子中所含元素——硅,是地殼大組成元素,約占地殼總。有一種叫做拉晶法的工藝,用來將非晶硅或多晶硅制成單晶硅。這種方法是將高純度硅熔。

拋光金剛砂中有害的雜質(zhì)是碳酸鹽(CACO3·MgCO3),它與高溫金屬接觸時,單晶硅拋光金剛砂,分解出CO2,易使鑄件產(chǎn)生氣孔;通常,將含有碳酸鹽的鉻礦經(jīng)900°C——950°C。

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1.石英坩堝可在1450度以下使用,分透明和不透明兩種。用電弧法制的半透明石英坩堝是拉制大直徑單晶硅,發(fā)展大規(guī)模集成電路必不可少的基礎(chǔ)材料。當(dāng)今,世界半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)達。詳情>>簡介-工藝流程-現(xiàn)場檢測-全部