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其中,4次提到了以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體功率器件。到目前為止,國(guó)內(nèi)已有四條4/6英寸SiC生產(chǎn)/中試線和三條GaN生產(chǎn)/中試線相繼投入使用。

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摘要:本文回顧了半導(dǎo)體碳化硅(SiC)單晶材料的發(fā)展史,簡(jiǎn)單介紹了半導(dǎo)體SiC單晶材料的結(jié)構(gòu)與性質(zhì),對(duì)物理氣相傳輸法(PVT)制備SiC單晶做了描述,詳細(xì)介紹了。

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2018年4月8日-SiC廣泛應(yīng)用于苛刻環(huán)境和極端條件下,尤其對(duì)于航空、航天、核能等領(lǐng)域的高性能裝備和器件,斷裂表面的愈合功能對(duì)于這些高性能裝備和器件避免災(zāi)難性后果。

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